¿Conoces las ventajas y usos del producto del horno de sinterización de carburo de silicio?

2025-04-11 13:58:42

The silicon carbide Sintering furnace is a batch-type resistance heating furnace primarily used for pressureless silicon carbide sintering, as well as in the cemented carbide and powder metallurgy industries for producing metal powders and composite powders such as tungsten carbide (WC), chromium carbide (Cr₃C₂), titanium carbide (TiC), and vanadium Carburo (VC). Después de presionar en frío, estos materiales experimentan un tratamiento de sinterización. El sistema admite hasta 200 curvas de calentamiento de procesos distintas.

Ventajas de productos

1 Control de temperatura inteligente:

● Equipado con un controlador de temperatura digital inteligente basado en PID con pantalla digital avanzada y tecnología de control inteligente.

● Reduce los errores de lectura y las desviaciones de operación manual, mejorando significativamente la eficiencia del flujo de trabajo.

2 diseño de horno duradero:

● Utiliza materiales de aislamiento de alta temperatura para la cámara del horno, asegurando la durabilidad a largo plazo.

● El aislamiento térmico optimizado mantiene bajas temperaturas de la superficie externas durante la operación prolongada.

Aplicaciones

● Producción de cerebro de carburo de silicio y cerámica de sellado de carburo de silicio.

● Sinterización sin presión de carburo de silicio.

●Fabricación de polvos y compuestos de metal (por ejemplo, TIC, VC, WC) para aplicaciones de metalurgia de carburo y polvo cementados.

Especificaciones técnicas

1 temperatura máxima de funcionamiento: 2500 ° C

2 volumen de zona de alta temperatura:

Opciones: 0.01m³, 0.02M³, 0.03m³, 0.05m³, 0.1m³, 0.15m³, 0.2m³, 0.3m³, 0.5m³, 0.6m³, 0.8m³, 1m³

3 Compatibilidad de la atmósfera:

● Hidrógeno (H₂), nitrógeno (N₂), gases inerte, etc.

4 Uniformidad de temperatura: ≤ ± 10 ° C

5 Medición de temperatura:

● Por debajo de 1800 ° C: termopares de tungsteno-renio (W-RE).

● Por encima de 1800 ° C: pirómetro óptico infrarrojo (rango de medición: 1000–3000 ° C; precisión: 0.2–0.75%).

6 Control de temperatura:

● Modos de control programables o manuales.

● Precisión de control: ± 1 ° C.